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Shanghai Ganova Electronic Information Co., Ltd.
CN
2YRS
Principaux produits:GaN /SiC/diamant/AlN/sistertest & Epi. Plaquettes, Test, traitement, puces, équipement
GaN unique cristal substrat
Saphir flocons
Carbure de silicium
Nitrure d'aluminium
Plaquette de saphir GaN non dopé de 2 à 6 pouces pour dispositif d'alimentation
339,94 SAR - 1 126,77 SAR
Min. Order: 1 pièce
Substrat monocristallin GaN autoportant non dopé à plan C de 2 à 4 pouces pour dispositif d'alimentation
7 830,05 SAR - 10 694,71 SAR
Min. Order: 1 pièce
Epi-wafer de 4 pouces de type N SSP si-dopé GaN-on-Sapphire pour dispositif de broche laser LED
1 058,78 SAR - 1 111,72 SAR
Min. Order: 5 pièces
Matériau semi-conducteur GaN-on-Silicon HEMT epi-wafer de 4 pouces pour dispositif d'alimentation
835,95 SAR
Min. Order: 5 pièces
Galette épitaxiale en silicone, 4 pouces, AlGaN RF GaN pour appareil toélectronique
6 092,16 SAR
Min. Order: 2 pièces
RF 6 pouces GaN-on-Silicon epi-wafer large bande écart semi-conducteur matériau
12 203,42 SAR
Min. Order: 1 pièce
Avion C 2 pouces de haute pureté al2o, semi-conducteur saphir pour puce LED
26,74 SAR - 38,20 SAR
Min. Order: 10 pièces
Avion C 8 pouces, semi-conducteur al2o, substrat saphir pour puce LED
840,30 SAR - 973,99 SAR
Min. Order: 12000 pièces
Substrat de saphir à semi-conducteur de haute pureté de 2 pouces pour puce LED
16,05 SAR
Min. Order: 12000 pièces
Substrat 4H-SiC de Type N P-MOS/P-SBD/D de 6 pouces pour appareils électriques et micro-ondes
2 076,27 SAR - 2 180,04 SAR
Min. Order: 5 pièces
Substrat SiC de niveau Z 4 pouces 4H-SI-500um +-25um semi-conducteurs pour LED
4 812,62 SAR
Min. Order: 1 pièce
Matériau Semi-isolant à Semi-conducteur SI, niveau P/niveau D, 4 pouces, 4H-SiC
3 788,98 SAR - 4 209,13 SAR
Min. Order: 3 pièces
Matériau semi-conducteur de substrat SiC de niveau Z de 4 pouces pour LED
2 249,71 SAR - 2 356,66 SAR
Min. Order: 1 pièce
Matériau semi-conducteur SiC de niveau P de 2 pouces pour dispositif d'alimentation et de micro-ondes
2 024,36 SAR - 2 100,75 SAR
Min. Order: 5 pièces
Substrat de silicium de niveau P de haute qualité de 2 pouces pour le dispositif de puissance et de micro-ondes
1 986,16 SAR
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Puce LED de désinfection UV 3 ~ 4um DSP 2 pouces modèle ain-on-sapphire semi-conducteur
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Semi-conducteur de haute qualité 10*10 mm2 Substrat AlN autoportant de qualité P
9 422,80 SAR
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Semi-conducteur de haute qualité 10*10 mm2 substrat AlN autoportant de qualité R
8 360,97 SAR
Min. Order: 1 pièce
P-Grade 1 pouce en nitrure d'aluminium monocristallin autoportant AlN wafer semi-conducteur
20 224,45 SAR - 20 491,82 SAR
Min. Order: 1 pièce
Semi-conducteur de substrat AlN autoportant monocristallin de nitrure d'aluminium de qualité R de 1 pouce
17 990,02 SAR - 18 219,19 SAR
Min. Order: 5 pièces
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Plaquette de saphir GaN non dopé de 2 à 6 pouces pour dispositif d'alimentation
339,94 SAR - 1 126,77 SAR
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Substrat monocristallin GaN autoportant non dopé à plan C de 2 à 4 pouces pour dispositif d'alimentation
7 830,05 SAR - 10 694,71 SAR
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Micro-LED bleu 4 pouces SSP GaN-on-Sapphire epi-wafer pour la communication en lumière visible
1 405,59 SAR
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Plaquette de saphir GaN non dopé de 2 à 6 pouces pour dispositif d'alimentation
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Epi-wafer de 4 pouces de type N SSP si-dopé GaN-on-Sapphire pour dispositif de broche laser LED
1 058,78 SAR - 1 111,72 SAR
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Matériau semi-conducteur GaN-on-Silicon HEMT epi-wafer de 4 pouces pour dispositif d'alimentation
835,95 SAR
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10x10 mm2 p-level sn-doped SSP autoportant Ga2O3 substrat Prime Grade
4 979,53 SAR - 5 228,19 SAR
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